绝缘栅双极晶体管(IGBT)

绝缘栅双极晶体管(IGBT)
IGBT晶体管（IGBT Transistor），应有尽有。Mouser Electronics（贸泽电子）是众多IGBT晶体管原厂的授权代理商，提供多家业界知名制造商的IGBT晶体管，包括Infineon、IXYS、ON Semiconductor, STMicroelectronics、Vishay等。想了解更多IGBT晶体管产品，请浏览下列产品分类。
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 48 Amps 1200V
数据表
51库存量
300预期 2026/11/11
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 48 A 250 W - 55 C + 150 C IXGH24N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75 Amps 600V 1.05 V Rds
数据表
107库存量
300预期 2026/10/5
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH48N60 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 12 Amps 1700 V 4 V Rds
数据表
1库存量
300预期 2026/10/5
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C IXGH6N170 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
290库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V 20 V 22 A 100 W - 55 C + 150 C IXGP12N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 600V 150A XPT
数据表
41库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 300 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Planar Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 600V 30A XPT
数据表
146库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Single - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
数据表
203库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 70 A 230 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 600V IGBT GenX3 XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
数据表
23库存量
300预期 2027/7/1
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 160 A 750 W - 55 C + 175 C IXXH75N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 20A XPT
数据表
136库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1700V 10A IGBT
数据表
192库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.1 V - 20 V, 20 V 36 A 280 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1700V 16A IGBT
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 40 A 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
数据表
181库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C IXYH20N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 40A GENX3
数据表
162库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
数据表
3库存量
300预期 2026/11/6
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 5 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/166A XPT Copacked SOT-227B
数据表
6库存量
660预期 2027/11/1
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 160 A 600 W - 55 C + 175 C IXYN100N65 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/130A XPT C3-Class TO-220
数据表
32库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 132 A 600 W - 55 C + 175 C IXYP50N65 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
数据表
126库存量
300预期 2027/4/27
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 900V 8A 2.5V XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3
数据表
409库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C Planar Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
数据表
产品评论
146库存量
1,000预期 2026/11/17
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 460 V 2.1 V 10 V 20 A 107 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
数据表
产品评论
234库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 56 A 223 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 40A TRNCH
数据表
23库存量
450预期 2026/9/15
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 73 A 272 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 8A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
数据表
750库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220NFM-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 9 A 22 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
562库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 85 A 277 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
446库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 50 A 174 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete Semiconductors, IGBT, High-Speed Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
数据表
588库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 70 A 234 W - 40 C + 175 C Tube