Tray MOSFET模块

结果: 170
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 系列 封装
onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM 140工厂有库存
最低: 28
倍数: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM 2,632工厂有库存
最低: 28
倍数: 28

SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM 84工厂有库存
最低: 28
倍数: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH040P120MNF1 Tray
SanRex MOSFET模块 2in1 1200V SiC FET 100A 6.8mOhm 20Vgs 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

SiC Screw Mount 1.2 kVDC 100 A 6.8 mOhms - 7 V, + 22 V 3 V - 40 C + 150 C 625 W FCA Tray
SanRex MOSFET模块 2in1 1200V SiC FET 150A 4.1mOhm 20Vgs 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

SiC Screw Mount 1.2 kVDC 150 A 4.1 mOhms - 7 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.135 kW FCA Tray
onsemi MOSFET模块 SIC 900V 8D MOSFET V-SSDC SPB 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 620 A 2.1 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1 kW NVXR17S90M2SPB Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM 无库存交货期 47 周
最低: 28
倍数: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH020P120MNF1 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
7库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 2.3 kV 2 kA 2.88 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V + 150 C 20 mW XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V
4库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 2.3 kV 1.5 kA 3.84 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V + 150 C 20 mW XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
3库存量
最低: 1
倍数: 1

XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC /
3库存量
最低: 1
倍数: 1

XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP HV

SiC Screw Mount N-Channel 2.4 mOhms - 10 V, + 23 V 3.45 V - 40 C + 175 C XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP HV
4库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Screw Mount N-Channel 3.3 kV 720 A 3.1 mOhms - 7 V, + 20 V 3.45 V - 40 C + 175 C XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP HV

SiC Screw Mount XHP 2 N-Channel 3.3 kV 500 A 4.8 mOhms - 7 V, + 20 V 4.3 V 20 mW XHP 2 Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模块 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V
4预期 2026/9/17
最低: 1
倍数: 1

SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 2.3 kV 2 kA 2.88 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V + 150 C 20 mW XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
4预期 2026/9/17
最低: 1
倍数: 1

SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 2.3 kV 1.5 kA 3.84 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V + 150 C 20 mW XHP 2 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
SiC NXH040F120MNF1 Tray
Toshiba MOSFET模块 HIGH-POWER SiC MOSFET Module; PD=2000W; ID=250A; VDSS=2200V

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 2.2 kV 250 A - 10 V, 25 V 5.5 V + 150 C 2 kW Tray