HyperFET MOSFET

结果: 115
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 50 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 85 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 1KV 6A
数据表
95库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 88 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
数据表
294预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFET DIODE Id48 BVdass500
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 48 A 100 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 8 A 800 mOhms HyperFET Tube

IXYS MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds
数据表
无库存交货期 19 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 800V 34A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 34 A 240 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3.6 A 3.6 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 100 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFET 72 Amps 550V 0.07 Rds
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 550 V 72 A 72 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds
数据表
无库存交货期 44 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 250 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 48 A 90 mOhms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 400 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 1KV 10A
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 11 Amps 800V
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 950 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 1KV 12A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 900V 12A
数据表
无库存
最低： 60
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 12 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12.5 A 900 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 800V 13A
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 13 Amps 900V 0.8 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 13 A 800 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 15 Amps 600V
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 30
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 500 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 800V 15A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 30
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 600 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 600V 20A
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube

IXYS MOSFET 500V 21A
数据表
无库存
最低： 90
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 250 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HyperFET Tube