35 W 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装


Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART35FE/SOT467C/TRAY
数据表
226库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 65 V 1.6 Ohms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 35 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
343库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 8 A 40 V 870 MHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 165 C SMD/SMT PowerSO-12 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel