400 W 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 16
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
110库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
数据表
3库存量
21预期 2026/9/3
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 50 A 180 V 30 MHz 25 dB 400 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL
数据表
79库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.7 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL
数据表
77库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 2.1 GHz to 2.2 GHz 16.3 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/REELDP
数据表
87库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 90.1 mOhms, 155.8 mOhms 2.496 GHz to 2.69 GHz 13.3 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 10
倍数： 1

N-Channel Si 15 A 500 V 100 MHz 16 dB 400 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.7 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 74 mOhms, 128 mOhms 2.11 GHz to 2.2 GHz 16.3 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms, 170 mOhms 2.11 GHz to 2.2 GHz 15 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1275-1-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAYDP
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 90.1 mOhms, 155.8 mOhms 2.496 GHz to 2.69 GHz 13.3 dB 400 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-400/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 11 dB 400 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
数据表

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray