5 W 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
数据表
5库存量
360在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 900 mA 65 V 400 MHz 11 dB 5 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 728 MHz to 821 MHz 17.8 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 859 MHz to 960 MHz 21 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel