800 W 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART800PEG/OMP780/REEL
数据表
79库存量
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最低： 1
倍数： 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 200 mOhms 1 MHz to 650 MHz 29.2 dB 800 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4G-1-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART800PE/OMP780/REEL
数据表

Dual N-Channel LDMOS 65 V 200 mOhms 1 MHz to 650 MHz 29.2 dB 800 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLU9H0408L-800P/SOT539/TRAY
数据表

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 800 MHz 20.5 dB 800 W + 225 C SMD/SMT SOT539A-5 Tray