22 dB 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 10
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 61库存量
75预期 2026/10/26
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY 44库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Microchip Technology VRF141
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174 23库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 20 A 80 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL
195在途量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 22 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR
11预期 2026/12/21
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 22 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel