STMicroelectronics SMD/SMT 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 60
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 无库存交货期 52 周
最低: 120
倍数: 120
: 120

N-Channel Si 90 V 945 MHz 13.4 dB 250 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 300
倍数: 300
: 300

N-Channel Si 90 V 930 MHz 21 dB 12 W + 200 C SMD/SMT MM-2 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 无库存交货期 28 周
最低: 80
倍数: 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 160
倍数: 160
: 160

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.625 GHz 18 dB 80 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 300
倍数: 300
: 300

N-Channel Si 65 V 1.5 Ohms 3.6 GHz 14.5 dB 8 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 无库存交货期 52 周
最低: 100
倍数: 100
: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz 无库存交货期 28 周
最低: 50
倍数: 50

N-Channel Si 12 A 90 V 1.5 GHz 17.3 dB 80 W + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch 无库存交货期 28 周
最低: 80
倍数: 80

N-Channel Si 1 mA 200 V 250 MHz 24.6 dB 1 kW - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244F Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 无库存交货期 23 周
最低: 400
倍数: 400

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1
: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel