QFN-20 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 技术
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
数据表
729库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

LDMOS 65 V 3.4 GHz to 3.8 GHz 35.4 dB 45.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
数据表
1,500在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.3 dB 44.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B10G2327N55D/PQFN/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.2 dB 46.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 31.3 dB 45.9 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
数据表

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.3 dB 44.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel