射频晶体管

结果: 204
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
数据表
150预期 2027/1/6
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 200 MHz 80 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
数据表
120预期 2026/11/10
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT467C-3 GaN Si 0 Hz to 3.5 GHz 100 W + 300 C 15 dB Tray


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
数据表
50预期 2027/7/30
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
数据表
50预期 2026/11/13
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1.5 GHz + 200 C Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150FE/SOT467C/TRAY
数据表
120预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT467C-3 LDMOS 1 MHz to 650 MHz 150 W + 225 C 31 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
数据表
18预期 2026/8/27
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT1135A-3 LDMOS 3.1 GHz to 3.5 GHz 115 W + 225 C 14 dB Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 150 MHz 175 W - 65 C + 150 C 21.3 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 200 MHz 350 W - 65 C + 150 C 29 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 250 MHz 150 W + 150 C 14.8 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
数据表
交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 100 MHz 300 W + 150 C 24 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 60
倍数： 60

RF MOSFET Transistors Screw Mount M246 Si 60 W - 65 C + 200 C Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC-244B Si 250 MHz 580 W - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 150 MHz 150 W - 65 C + 150 C 17 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
数据表
交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 14 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 333-04 Si 500 MHz 100 W - 65 C + 150 C 8.8 dB Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-07 Bipolar Power Si 200 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-07 Bipolar Power Si 30 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 40
倍数： 40
RF MOSFET Transistors SMD/SMT 319-07 Si 100 MHz to 500 MHz 40 W - 55 C + 150 C 10 dB Tray
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 25 dBm + 150 C 16 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 28.5 dBm + 150 C 13 dB Bulk