射频晶体管

结果: 204
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 28 GHz 21.5 dBm + 150 C 14 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 28 GHz 23 dBm + 150 C 15 dB Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans
数据表
无库存交货期 13 周
最低： 60
倍数： 60

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 2.025 GHz 160 W + 225 C 15 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 60
倍数： 60

RF MOSFET Transistors Screw Mount SOT1135A-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 30 W + 225 C 18.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 60
倍数： 60

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 140 W + 225 C 19 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT1135B-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 30 W + 225 C 18.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 1.2 GHz to 1.4 GHz 600 W + 225 C 19 dB Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1.5 GHz 80 W + 200 C 17.3 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC244F Si 250 MHz 1 kW - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 26 dBm + 150 C 10 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 22 dBm + 150 C 12 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 15 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 26.5 dBm + 150 C 11 dB Bulk
STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF4L10700CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF4L15400CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF5L0912750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION 无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors Si Bulk
Microchip Technology DRF1311
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 1000 V 2000 W 30 MHz T4
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
MACOM MAPR-000912-500S00
MACOM 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 20
倍数： 20

RF Bipolar Transistors Si Tray
MACOM MAPRST0912-350
MACOM 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 20
倍数： 20

RF Bipolar Transistors Ceramic Bipolar Power Si 1.215 GHz + 200 C Tray