POWEREX 射频晶体管

结果: 327
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
资格
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
3,649库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 15 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
5,857库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 3 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
1,538库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 11.5 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
1,332库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,25W,30MHz,28V
数据表
100库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-11 Bipolar Power Si 2 MHz to 30 MHz 150 W
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,<30MHz,12.5V100W
数据表
114库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 211-11 Bipolar Power Si 30 MHz 100 W
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
数据表
524库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 305A-01 Si 500 MHz 2 W - 65 C + 150 C 18 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
数据表
340库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 744A-01 Si 400 MHz 100 W - 65 C + 150 C 12 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg
数据表
260库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount 244-4 Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
数据表
408库存量
最低： 1
倍数： 1
RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 150 MHz 150 W + 200 C 17 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
数据表
56库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 40 MHz 750 W - 55 C + 175 C 17 dB

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
数据表
100库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

RF MOSFET Transistors GaAs 26 GHz 20 dBm + 150 C 11 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
228库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 15 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Die GaAs 28 GHz 24.5 dBm 15 dB Reel, Cut Tape
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
90库存量
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 32 dBm + 150 C 9 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
数据表
573库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 15 W - 65 C + 150 C 14 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
数据表
61库存量
75预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
数据表
68库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount 211-07 Si 200 MHz 125 W - 65 C + 200 C 9 dB
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 80 MHz 600 W - 65 C + 150 C 21 dB Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 744A-01 Bipolar Power Si 500 MHz - 65 C + 150 C Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
12库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Screw Mount 744A-01 Bipolar Power Si 500 MHz - 65 C + 150 C Tray

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
63库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
数据表
1,223库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PLD-1.5W Si 728 MHz to 3.7 GHz 28.8 dBm - 40 C + 150 C 16 dB Reel, Cut Tape

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10
RF MOSFET Transistors SMD/SMT Die GaAs 18 GHz 30 dBm 12 dB Reel, Cut Tape
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 30 dBm + 150 C 11 dB Bulk