GaAs 射频晶体管

结果: 91
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 技术 工作频率 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 增益 封装
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz 393库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm GaAs 10 MHz to 4 GHz 21.5 dBm - 40 C + 85 C 12.3 dB Reel, Cut Tape, MouseReel

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Die GaAs 28 GHz 24.5 dBm 15 dB Reel, Cut Tape
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz 407库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 1.4 mm x 1.2 mm GaAs 45 MHz to 6 GHz 20.3 dBm - 40 C + 85 C 8.9 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LOW NOISE AMPL / SM / RoHS 1,009库存量
1,500预期 2026/8/18
最低: 1
倍数: 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT MCLP-4 GaAs 10 MHz to 4 GHz 21.3 dBm - 40 C + 85 C 12 dB Reel, Cut Tape, MouseReel

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET 100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

RF MOSFET Transistors GaAs 26 GHz 20 dBm + 150 C 11 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 90库存量
最低: 10
倍数: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 32 dBm + 150 C 9 dB Bulk
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.40 mm Pwr pHEMT 300库存量
最低: 100
倍数: 100
: 100

RF JFET Transistors 0.41 mm x 0.34 mm pHEMT GaAs 13 dB Reel

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 6库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10
RF MOSFET Transistors SMD/SMT Die GaAs 18 GHz 30 dBm 12 dB Reel, Cut Tape
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 100库存量
最低: 10
倍数: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 30 dBm + 150 C 11 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100库存量
最低: 10
倍数: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 28 dBm + 150 C 13 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices 100库存量
最低: 10
倍数: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 20 dBm + 150 C 8 dB, 11 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100库存量
最低: 10
倍数: 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 28 GHz 28 dBm + 150 C 12 dB Bulk
CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10
RF MOSFET Transistors SMD/SMT Die GaAs 26 GHz 25 dBm 16 dB Reel, Cut Tape
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 140库存量
3,000预期 2026/8/24
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications 20库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 19 dB Bulk
Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.18 mm Pwr pHEMT 100库存量
最低: 100
倍数: 100
: 100

RF JFET Transistors SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm pHEMT GaAs 14 dB Reel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 20库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 30 dBm + 150 C 13 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications 9库存量
最低: 1
倍数: 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 30.5 dBm + 150 C 13 dB Bulk

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30库存量
最低: 10
倍数: 10

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Die GaAs 26 GHz 24 dBm 14 dB Gel Pack
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 15,329库存量
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 24 GHz - 55 C + 125 C 13.8 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 4,584库存量
10,000预期 2026/12/18
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 20,575库存量
最低: 1
倍数: 1
: 15,000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 4,826库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Bulk
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 22库存量
3,000预期 2027/2/3
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Bulk
CEL CE3520K3
CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 2,270库存量
最低: 1
倍数: 1

RF JFET Transistors pHEMT GaAs Bulk