Tube 射频(RF)双极晶体管

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 系列
晶体管类型
技术
晶体管极性
工作频率
直流集电极/Base Gain hfe Min
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极连续电流
最小工作温度
最大工作温度
配置
安装风格
封装 / 箱体
封装
Renesas / Intersil 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
数据表
2,072库存量
最低： 1
倍数： 1

HFA3096 Bipolar Si NPN/PNP 5.5 GHz, 8 GHz - 15 V, 12 V - 5 V, 6 V - 55 C + 125 C Dual SMD/SMT SOIC-Narrow-16 Tube

Renesas / Intersil 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
数据表
2,412在途量
最低： 1
倍数： 1

HFA3046 Bipolar Si NPN 8 GHz 40 8 V 5.5 V 65 mA - 55 C + 125 C Quint SOIC-14 Tube
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
STMicroelectronics 射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 300

STGWT30HP65FB Si Tube
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
数据表

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
数据表

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube