Tube 射频晶体管

晶体管射频类型
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结果: 49
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
1,332库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
1,538库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 11.5 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
数据表
5,874库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 3 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube
Renesas / Intersil 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
数据表
2,072库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-Narrow-16 Bipolar Si 5.5 GHz, 8 GHz - 55 C + 125 C Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
228库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 15 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
63库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
Microchip Technology ARF468AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
Microchip Technology ARF465AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
数据表
273库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 60 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
Microchip Technology ARF465BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 60 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
511库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
数据表
790库存量
2,000预期 2026/8/11
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-220-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 115 W - 40 C + 150 C 21.1 dB Tube
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
数据表
434库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
82库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
数据表
377库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
137库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 15 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
112库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 25 W - 65 C + 150 C 14.5 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
487库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
数据表
305库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
345库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-12 Si 870 MHz 35 W - 65 C + 165 C 14.9 dB Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
数据表
85库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M244 Si 250 MHz 300 W + 150 C 16 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
数据表
42库存量
90预期 2026/8/6
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 350 W + 200 C 15 dB Tube
NXP Semiconductors MHT1803B
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L 280库存量
最低： 1
倍数： 1
RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 50 MHz 300 W + 150 C 28.2 dB Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
数据表
18库存量
30预期 2026/10/19
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
数据表
105库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 3 W - 65 C + 150 C 12 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
45库存量
400预期 2026/9/11
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 25 W - 65 C + 150 C 14.5 dB Tube