onsemi NTBL023N065M3S碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美NTBL023N065M3S碳化硅 (SiC) MOSFET设计用于要求苛刻的电源应用。安森美 (onsemi) NTBL023N065M3S MOSFET的典型R_DS(on)为23mΩ（V_GS = 18V时），具备超低栅极电荷（Q_G(tot) = 69nC），以及低电容（C_oss = 152pF）下的高速开关能力。这些MOSFET经过全面雪崩性能测试，不含卤素，符合RoHS指令（7a豁免），在二级互连时不含铅。这些SiC MOSFET非常适合用于开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、储能系统和基础设施等应用，可为现代电源管理需求提供强大性能。