Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN评估板

英飞凌科技 EVAL_GD_BDS_GAN评估板是一款低功耗栅极驱动器评估板,用于驱动氮化镓双向开关。该评估板包含一个EiceDRIVER™ 1EDB7275F单通道隔离栅极驱动器,并通过板对板连接器支持GaN BDS子卡。

英飞凌EVAL_GD_BDS_GAN板帮助工程师在设计导入、测量和验证工作流程中评估双向氮化镓 (GaN) 开关的性能。该电路板支持高达120V的各种GaN双向开关,并允许用户基于电流方向选择栅极驱动器返回路径。

该评估板非常适合需要紧凑双向开关、减少元器件数量、更快开关性能和改进功率密度的CoolGaN BDS应用。该电路板是评估USB Type-C®充电器和负载开关、电子熔丝、电池管理系统、USB-C PD设计、智能手机、笔记本电脑和扩展坞的绝佳选择。

特性

  • 用于GaN双向开关操作低功耗栅极驱动器评估板
  • 板载EiceDRIVER 1EDB7275F单通道隔离栅极驱动器
  • 用于连接不同GaN BDS子卡的连接器
  • 用户可基于电流方向选择栅极驱动器回路路径
  • 支持高达120V的GaN双向开关
  • CoolGaN BDS支持具有双栅极独立控制的通常关闭的单片GaN双向开关
  • 共漏极双向阻断结构,有助于替换多个单向开关
  • GaN BDS设计导入支持,用于评估和测量GaN BDS特性,验证数据表规格

应用

  • USB-C充电器和负载开关
  • eFuse
  • 电池管理系统 (BMS)
  • USB-C PD设计
  • 智能手机
  • 笔记本电脑
  • 扩展坞

规范

  • BergStik板对板连接器,用于安装GaN BDS子卡
  • 板载栅极驱动器IC 1EDB7275F单通道隔离栅极驱动器
  • ESD敏感 - 实验室条件下使用
  • 最大输入电流为20A
  • 支持的子卡
    • EVAL_IGK048B041S_GaN
    • EVAL_IGK080B041S_GaN
    • EVAL_IGK120B041S_GaN
  • 输入电压范围:5V至120V

方框图

框图 - Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN评估板

系统连接

位置电路 - Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN评估板

PCB布局

位置电路 - Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN评估板
发布日期: 2026-08-03 | 更新日期: 2026-08-06