英飞凌EVAL_GD_BDS_GAN板帮助工程师在设计导入、测量和验证工作流程中评估双向氮化镓 (GaN) 开关的性能。该电路板支持高达120V的各种GaN双向开关,并允许用户基于电流方向选择栅极驱动器返回路径。
该评估板非常适合需要紧凑双向开关、减少元器件数量、更快开关性能和改进功率密度的CoolGaN BDS应用。该电路板是评估USB Type-C®充电器和负载开关、电子熔丝、电池管理系统、USB-C PD设计、智能手机、笔记本电脑和扩展坞的绝佳选择。
特性
- 用于GaN双向开关操作低功耗栅极驱动器评估板
- 板载EiceDRIVER 1EDB7275F单通道隔离栅极驱动器
- 用于连接不同GaN BDS子卡的连接器
- 用户可基于电流方向选择栅极驱动器回路路径
- 支持高达120V的GaN双向开关
- CoolGaN BDS支持具有双栅极独立控制的通常关闭的单片GaN双向开关
- 共漏极双向阻断结构,有助于替换多个单向开关
- GaN BDS设计导入支持,用于评估和测量GaN BDS特性,验证数据表规格
应用
- USB-C充电器和负载开关
- eFuse
- 电池管理系统 (BMS)
- USB-C PD设计
- 智能手机
- 笔记本电脑
- 扩展坞
规范
- BergStik板对板连接器,用于安装GaN BDS子卡
- 板载栅极驱动器IC 1EDB7275F单通道隔离栅极驱动器
- ESD敏感 - 实验室条件下使用
- 最大输入电流为20A
- 支持的子卡
- EVAL_IGK048B041S_GaN
- EVAL_IGK080B041S_GaN
- EVAL_IGK120B041S_GaN
- 输入电压范围:5V至120V
方框图
系统连接
PCB布局
发布日期: 2026-08-03
| 更新日期: 2026-08-06

