ISC008N06LM6ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC008N06LM6ATMA
ISC008N06LM6ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 3,052

库存：
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生产周期：
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥34.0017 ¥34.00
¥23.4927 ¥234.93
¥20.0123 ¥2,001.23
¥17.9444 ¥8,972.20
¥16.046 ¥16,046.00
¥15.8765 ¥39,691.25
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥15.8765 ¥79,382.50

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
378 A
800 uOhms
20 V
2.3 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
221 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: AT
原产国: AT
下降时间: 7.4 ns
正向跨导 - 最小值: 150 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4.8 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 48.2 ns
典型接通延迟时间: 12.5 ns
零件号别名: ISC008N06LM6 SP005570789
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET凭借强大的功率MOSFET技术提供卓越的性能。与OptiMOS 5相比，OptiMOS 60V功率MOSFET的RDS(on)降低37%以上，FOMQg x RDS(on)性能提升约25%。英飞凌OptiMOS 6 60V功率MOSFET在软开关拓扑和低频应用中可实现更高的系统效率与功率密度。

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