ISC016N08NM8SCATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8SCAT
Price: 52.92 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

726-ISC016N08NM8SCAT

制造商编号：

ISC016N08NM8SCATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

ISC016N08NM8SCATMA1 数据表 (PDF)

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生产周期：: 52

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

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定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥59.7996	¥59.80
	¥40.0359	¥400.36
	¥32.1711	¥3,217.11
	¥28.6229	¥14,311.45
	¥23.6622	¥23,662.20
	¥23.0746	¥46,149.20
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
	¥22.9955	¥91,982.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-WSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	269 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.54 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	76 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	263 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	7.2 ns
正向跨导 - 最小值:	55 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.1 ns
系列:	OptiMOS 8
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
零件号别名:	ISC016N08NM8SC SP006195339

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

OptiMOS™ 8功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET是N沟道、标准电平80V或100V MOSFET，具有非常低的导通电阻（R_DS(ON)）。80V MOSFET提供双面冷却封装（WSON-8），而100V MOSFET采用标准TDSON-8封装。每种封装均提供出色的热阻性能，且经过100%雪崩测试。英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET采用软恢复二极管，且无铅、无卤，符合RoHS标准。