CGHV1F025S

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

941-CGHV1F025S

制造商编号：

CGHV1F025S

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt

数据表:

CGHV1F025S 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解MACOM CGHV1F025S详情

发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-12
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	2 A
Vgs th-栅源极阈值电压:	- 3 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
最大工作频率:	15 GHz
最小工作频率:	0 Hz
技术:	GaN
商标:	MACOM
配置:	Single
开发套件:	CGHV1F025S-TB
增益:	11 dB
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	25 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	GaN HEMTs
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	250
子类别:	Transistors
晶体管类型:	GaN HEMT
类型:	GaN SiC HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V to 2 V
单位重量:	3.772 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

CGHV1F025S 数据表 (PDF)

PCN

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8532331000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

氮化镓高电子迁晶体管

科锐与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓(GaN)高电子迁晶体管(HEMT)具有更高的功率密度和更宽的带宽。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。
了解更多

X 波段氮化镓高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路

Wolfspeed/Cree X 波段氮化镓高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路具有宽带隙，与基于砷化镓的器件相比，击穿场强增加了五倍，功率密度增加了 10 到 20 倍。对于相同的工作电源，Cree 氮化镓元件的尺寸更小、电容更低。这意味着放大器可以在更宽的带宽范围内工作，同时具有良好的输入和输出匹配。考虑到氮化镓高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路的显著优势，X 波段功率放大器逐渐不再采用低效的 GaAs pHEMT 和不可靠的行波管。
了解详情