QPD1028L

Qorvo
772-QPD1028L
QPD1028L

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 10

库存:
10 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于10的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥16,251.9651 ¥16,251.97

产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
NI-780
65 V
19 A
- 40 C
+ 85 C
400 W
商标: Qorvo
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
增益: 19.8 dB
湿度敏感性: Yes
输出功率: 750 W
封装: Waffle
产品类型: GaN FETs
系列: QPD1028L
工厂包装数量: 18
子类别: Transistors
技术: GaN SiC
晶体管类型: HEMT
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

USHTS:
8542330001
ECCN:
EAR99

QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管

Qorvo  QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管是分立式  碳化硅基氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管),工作频率范围为1.2GHz至1.4GHz。这些器件具有59dBm的饱和输出功率、18dB的大信号增益和70%的漏极效率。QPD1028和QPD1028L晶体管内部预匹配,可实现最佳性能,支持连续波和脉冲操作。