SCT4013DRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DRC15
SCT4013DRC15

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC

数据表:
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库存量: 402

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥301.8908 ¥301.89
¥231.6274 ¥2,316.27
¥222.6778 ¥22,267.78
450 报价

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
105 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 17 ns
正向跨导 - 最小值: 32 S
封装: Tube
产品: MOSFET's
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 32 ns
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 82 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: SCT4013DR
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

第四代N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。

SCT4013DR N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DR N沟道碳化矽 (SiC) 功率MOSFET是一款高性能设备，设计用于要求苛刻的电力电子设备应用。 这款设备的漏源电压额定值为750V，漏极连续电流为105A（+25°C时），具有卓越的效率和热性能。ROHM SCT4013DR具有13mΩ（典型值）低导通电阻和快速开关特性，使其非常适合用于电源、逆变器和电机驱动器等高频应用。SCT4013DR还受益于SiC技术固有的优势，包括高击穿电压、低开关损耗和优异的导热性，这有助于减小系统尺寸并提高可靠性。该MOSFET采用TO-247-4L外壳，支持强大的热管理，易于集成到现有设计中。

750V N沟道SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率，因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。此系列器件的静态漏源导通电阻（RDS(on)）额定值为13mΩ至65mΩ（典型值），连续漏极电流（ID）和源极电流（IS）范围为22A至120A（TC=25°C时）。这些ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性，充分利用了SiC技术的独特优势。

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