TP65H015G5WS

Name: Renesas Electronics TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H015G5WS
Price: 175.9 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

227-TP65H015G5WS

制造商编号：

TP65H015G5WS

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 GAN FET 650V 95A TO2 47

数据表:

TP65H015G5WS 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	95 A
Rds On-漏源导通电阻:	18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	68 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	276 W
通道模式:	Enhancement
技术:	GaN
商标:	Renesas Electronics
配置:	Single
下降时间:	10 ns
封装:	Tube
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	20 ns
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	132 ns
典型接通延迟时间:	78 ns

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TP65H015G5WS SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN^® FET是一款采用第五代SuperGaN平台的650V、15mΩ氮化镓（GaN）常关FET。该平台采用了先进的外延技术和专利设计。Renesas TP65H015G5WS的这些特性不仅简化了制造工艺，还凭借更低的栅极电荷、输出电容、开关交叉损耗和反向恢复电荷，实现了比硅基器件更高的效率。