TP65H035G4WS

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Mouser编号：

227-TP65H035G4WS

制造商编号：

TP65H035G4WS

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 35mOhm

寿命周期:

受限供货情况:

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数据表:

TP65H035G4WS 数据表 (PDF)

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	46.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.8 V
Qg-栅极电荷:	22 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	156 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperGaN
商标:	Renesas Electronics
下降时间:	10 ns
封装:	Tube
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	10 ns
系列:	Gen IV SuperGaN
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	GaN
典型关闭延迟时间:	94 ns
典型接通延迟时间:	60 ns
单位重量:	6 g

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数据表

TP65H035G4WS 数据表 (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Gen IV SuperGaN® FETs

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