TP65H070G4LSGBA-TR

Mouser编号：

227-P65H070G4LSGBATR

制造商编号：

TP65H070G4LSGBA-TR

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

寿命周期:

新产品:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
商标名:	SuperGaN
商标:	Renesas Electronics
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
产品:	GaN FETs
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

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已选择的属性: 0

合规代码

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.