TP65H300G4LSG

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Mouser编号：

227-TP65H0300G4LSG

制造商编号：

TP65H300G4LSG

制造商：

Renesas Electronics

说明：

GaN 场效应晶体管 GAN FET 650V 6.5A PQFN88

寿命周期:

受限供货情况:

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数据表:

TP65H300G4LSG 数据表 (PDF)

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Renesas Electronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PQFN-8x8-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	6.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	312 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 18 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.6 V
Qg-栅极电荷:	9.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	21 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperGaN
商标:	Renesas Electronics
下降时间:	10 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Tube
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	3.4 ns
系列:	TP65H
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
技术:	GaN
典型关闭延迟时间:	53 ns
典型接通延迟时间:	19.4 ns
单位重量:	4.096 g

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已选择的属性: 0

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.