FCP067N65S3

Name: onsemi FCP067N65S3
Brand: onsemi
SKU: 512-FCP067N65S3
Price: 45.75 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

512-FCP067N65S3

制造商编号：

FCP067N65S3

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET

数据表:

FCP067N65S3 数据表

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	¥32.1711	¥321.71
	¥30.0241	¥3,002.41
	¥26.6341	¥13,317.05

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	44 A
Rds On-漏源导通电阻:	67 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	78 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	312 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperFET III
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	16 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	52 ns
系列:	FCP067N65S3
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	89 ns
典型接通延迟时间:	26 ns
单位重量:	2 g

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数据表

FCP067N65S3 数据表

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

能源基础设施解决方案

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