FCP165N65S3

Name: onsemi FCP165N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-FCP165N65S3
Price: 36.23 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FCP165N65S3

制造商编号：

FCP165N65S3

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm

数据表:

FCP165N65S3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	19 A
Rds On-漏源导通电阻:	165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	39 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	154 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 最小值:	12 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	22 ns
系列:	SuperFET3
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	53 ns
典型接通延迟时间:	21 ns
单位重量:	2 g

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数据表

FCP165N65S3 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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