FDD86102LZ

Name: onsemi FDD86102LZ
Brand: onsemi
SKU: 512-FDD86102LZ
Price: 18.23 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

512-FDD86102LZ

制造商编号：

FDD86102LZ

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	42 A
Rds On-漏源导通电阻:	31 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	26 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	54 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
正向跨导 - 最小值:	31 S
产品类型:	MOSFETs
系列:	FDD86102LZ
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	330 mg

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数据表

FDD86102LZ 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

N通道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench®工艺制成，此种工艺专门设计用以将通态电阻降至最低，同时保持出众的开关性能。Fairchild Semiconductor N通道PowerTrench® MOSFET具有30V-250V各种漏极至源极电压规格。

FDD10N20LZ和FDD7N25LZ均为N通道增强型模式功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有平面条状和DMOS技术制成。该先进技术特别设计用于将通态电阻降至最低，提供出众的开关性能，且能承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适用于高效开关模式电源和主动功率因数校正。

FDMC6296是一款单N通道MOSFET，采用高热效率MicroFET封装。其经过特别设计以确保负载点转换器中的出色表现。通过提供r_DS(on)和栅极电荷之间的最佳平衡，此器件可有效用作一个“高侧”控制开关或“低侧”同步整流器。
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PowerTrench® MOSFET

仙童提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。您可以从多种技术中选择适合您应用的 MOSFET。仙童提供 N 沟道和 P 沟道版本的 MOSFET，利用其先进的 Power Trench® 工艺，该工艺经优化实现了低 R_DS(ON) 开关性能和坚固性。这些 PowerTrench® MOSFET 可满足几乎任何应用的需要，如负载开关、一次开关、移动计算、直流-直流转换器、同步整流器等等。
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FDD86102 N通道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor FDD86102 N通道PowerTrench® MOSFET采用其先进的PowerTrench工艺，针对导通电阻、关性能和耐用性进行了优化。Fairchild Semiconductor FDD86102 MOSFET具有高开关速度，高功率和电流处理能力，采用了应用广泛的表面贴装型封装。Fairchild PowerTrench MOSFET设计用于DC-DC转换应用。