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FDMS0309AS

onsemi

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDMS0309AS

制造商编号：

FDMS0309AS

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

数据表:

FDMS0309AS 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-56-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	21 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	47 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.5 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	FDMS0309AS
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-channel
单位重量:	68.100 mg

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数据表

FDMS0309AS 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET

具有低R_DS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。

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NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET

针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。

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NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET

专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。

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NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET

该器件具有低Q_RR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。

了解更多的信息

库存量: 526

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生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥12.8255	¥12.83
	¥7.1303	¥71.30
	¥5.2658	¥526.58
	¥4.1245	¥2,062.25
	¥3.7403	¥3,740.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.8476	¥8,542.80