FDP3672

Name: onsemi FDP3672
Brand: onsemi
SKU: 512-FDP3672
Price: 20.83 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDP3672

制造商编号：

FDP3672

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V

数据表:

FDP3672 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	105 V
Id-连续漏极电流:	41 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	135 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	27 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	48 ns
系列:	FDP3672
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	24 ns
典型接通延迟时间:	12 ns
零件号别名:	FDP3672_NL
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

FDP3672 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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