FDP4D5N10C

onsemi
863-FDP4D5N10C
FDP4D5N10C

制造商：

说明：
MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
128 A
4.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
PowerTrench
Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 134 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 49 ns
系列: FDP4D5N10C
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 28

库存：
28 可立即发货
生产周期：
53 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥59.551 ¥59.55
¥31.9338 ¥319.34
¥29.1992 ¥2,919.92
¥27.459 ¥13,729.50

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