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NTP082N65S3F

Name: onsemi NTP082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP082N65S3F
Price: 64.34 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTP082N65S3F

制造商编号：

NTP082N65S3F

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SF3 FRFET 650V 82MOHM

数据表:

NTP082N65S3F 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥72.7042	¥72.70
	¥39.7873	¥397.87
	¥36.6459	¥3,664.59
	¥32.092	¥16,046.00
25,000	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	81 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	313 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperFET III
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	27 ns
系列:	NTP082N65S3F
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	79 ns
典型接通延迟时间:	27 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

NTP082N65S3F 数据表

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

能源基础设施解决方案

安森美 (onsemi) 能源基础设施解决方案旨在解决不断发展变化的能源产生、分配和存储问题，从而达到政府政策设定的目标并满足不断增长的消费需求。能源基础设施的演变重点关注以下方面：提高效率目标、减少二氧化碳排放量以及重视可再生清洁能源。安森美提供全面的高能效解决方案，可满足各种大功率应用的苛刻要求，包括碳化硅 (SiC) 二极管、智能功率模块和电流检测放大器。

SuperFET® III MOSFET

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