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NVHL025N65S3

Name: onsemi NVHL025N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL025N65S3
Price: 176.92 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

863-NVHL025N65S3

制造商编号：

NVHL025N65S3

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SUPERFET3 650V

数据表:

NVHL025N65S3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	75 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	236 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	595 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	SuperFET
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	107 ns
正向跨导 - 最小值:	78.5 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	109 ns
系列:	SPM3
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	120 ns
典型接通延迟时间:	43.3 ns
单位重量:	6 g

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数据表

NVHL025N65S3 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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