NVMFS4C03NWFET1G

Name: onsemi NVMFS4C03NWFET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C03NWFET1G
Price: 10.76 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVMFS4C03NWFET1G

制造商编号：

NVMFS4C03NWFET1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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数量	单价	总价
	¥12.1588	¥12.16
	¥7.6162	¥76.16
	¥5.0624	¥506.24
	¥3.9663	¥1,983.15
	¥3.6386	¥3,638.60
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥3.3335	¥5,000.25
	¥3.0058	¥13,526.10
	¥2.8702	¥25,831.80
	¥2.8024	¥67,257.60

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFNW-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	159 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	45.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	77 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	17 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	32 ns
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	27 ns
典型接通延迟时间:	14 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NVMFS4C03NWFET1G 数据表

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET是一种高效设备，设计用于要求严格的电源管理应用程序。NVMFS4C03NWFET1G采用紧凑的5mm x 6mm PowerFLAT封装，具有出色的热性能和极低的导通电阻_RDS(on)，在10V下低至0.9mΩ，使该MOSFET成为最大限度减少大电流电路中导通损耗的理想选择。此安森美 (onsemi) MOSFET支持快速切换速度，并针对DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制应用进行了优化。其坚固的设计和高雪崩能量等级使NVMFS4C03NWFET1G适用于电信、服务器和工业电源系统，这些系统对可靠性和效率要求极高。NVMFS4C03NWFET1G在性能、尺寸和坚固性之间实现了平衡，使其成为现代电源电子设备的通用选择。