NVMFS4C03NWFET1G

onsemi
863-NVMFS4C03NWFET1G
NVMFS4C03NWFET1G

制造商：

说明：
MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

寿命周期:
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¥8.1586 ¥81.59
¥5.4127 ¥541.27
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥5.4127 ¥8,119.05

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
30 V
159 A
1.7 mOhms
20 V
2.2 V
45.2 nC
- 55 C
+ 175 C
77 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 32 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET是一种高效设备，设计用于要求严格的电源管理应用程序。NVMFS4C03NWFET1G采用紧凑的5mm x 6mm PowerFLAT封装，具有出色的热性能和极低的导通电阻RDS(on)，在10V下低至0.9mΩ，使该MOSFET成为最大限度减少大电流电路中导通损耗的理想选择。此安森美 (onsemi) MOSFET支持快速切换速度，并针对DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电机控制应用进行了优化。其坚固的设计和高雪崩能量等级使NVMFS4C03NWFET1G适用于电信、服务器和工业电源系统，这些系统对可靠性和效率要求极高。NVMFS4C03NWFET1G在性能、尺寸和坚固性之间实现了平衡，使其成为现代电源电子设备的通用选择。

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