NVMFS4C306NET1G

onsemi
863-NVMFS4C306NET1G
NVMFS4C306NET1G

制造商：

说明：
MOSFET TRENCH 30V NCH

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 1,341

库存：
1,341 可立即发货
生产周期：
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥11.0288 ¥11.03
¥6.9269 ¥69.27
¥4.5765 ¥457.65
¥3.616 ¥1,808.00
¥3.2431 ¥3,243.10
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥2.9719 ¥4,457.85
¥2.6894 ¥8,068.20
¥2.5764 ¥23,187.60
¥2.4747 ¥59,392.80

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SO-8FL
N-Channel
1 Channel
30 V
71 A
3.4 mOhms
20 V
2.1 V
26 nC
- 55 C
+ 175 C
36.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 3 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
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已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

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