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NVMFWS005N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWS005N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS005N10MCLT1G
Price: 22.69 RMB
Availability: OutOfStock

Mouser编号：

863-MFWS005N10MCLT1G

制造商编号：

NVMFWS005N10MCLT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL

数据表:

NVMFWS005N10MCLT1G 数据表

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NVMFS005N10MCL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NVMFWS005N10MCLT1G 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ONSEMI

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供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 53 周预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥25.6397	¥25.64
	¥16.6223	¥166.22
	¥11.4921	¥1,149.21
	¥9.4242	¥4,712.10
	¥8.3507	¥8,350.70
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥8.3507	¥12,526.05

NVMFWS005N10MCLT1G

制造商： onsemi

说明： MOSFET PTNG 100V LL SO8FL

规格

文件 (3)

数据表

PCN

环境文件

产品与贸易合规

客户还购买了

特色产品 ONSEMI

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onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL

特色产品

ONSEMI