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FDP085N10A-F102

Name: onsemi FDP085N10A-F102
Brand: onsemi
SKU: 512-FDP085N10A_F102
Price: 27.75 RMB
Availability: OutOfStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

512-FDP085N10A_F102

制造商编号：

FDP085N10A-F102

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

数据表:

FDP085N10A-F102 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	96 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	31 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	188 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	72 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	22 ns
系列:	FDP085N10A
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
零件号别名:	FDP085N10A_F102
单位重量:	2 g

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数据表

FDP085N10A-F102 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Power Trench MOSFETs EXPANSION

ON Semiconductor has expanded its line of Power Trench MOSFETs to offer different drain-to-source voltages, drain current and R_DS(ON). Additional features in this expansion of the ON Semiconductor Power Trench® MOSFETs include advanced package and silicon combination for low R_DS(ON) and high efficiency, thermally efficient packages, and next generation enhanced body diode technology engineered for soft recovery. Applications for these Power Trench® MOSFETs include synchronous rectifiers for DC/DC converters, notebook or networking low side switch, telecom secondary side rectification, load switches, and many more.
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ON Semiconductor offers both N-Channel and P-Channel versions of MOSFETs using their advanced Power Trench process that has been optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness.
View the entire Power Trench® MOSFETs offering

PowerTrench® MOSFET

仙童提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。您可以从多种技术中选择适合您应用的 MOSFET。仙童提供 N 沟道和 P 沟道版本的 MOSFET，利用其先进的 Power Trench® 工艺，该工艺经优化实现了低 R_DS(ON) 开关性能和坚固性。这些 PowerTrench® MOSFET 可满足几乎任何应用的需要，如负载开关、一次开关、移动计算、直流-直流转换器、同步整流器等等。
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