"RF TRANSISTOR"所有结果 (1,242)

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Central Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RF Amp/Osc 5,474库存量
最低: 1
倍数: 1

Comchip Technology 射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA 82库存量
18,000预期 2026/7/14
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 118库存量
最低: 1
倍数: 1

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 393库存量
1,090预期 2026/7/23
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 射频放大器 RF BIP TRANSISTORS
44,991在途量
最低: 1
倍数: 1
: 7,500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500



STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
250预期 2027/5/14
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S100G/TO270/REEL
1,000预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
: 500

CEL 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 110库存量
13,000预期 2026/7/15
最低: 1
倍数: 1
: 15,000

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
60预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FE/SOT539/TRAY
607在途量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
150预期 2026/12/25
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 80Watts 12.5Volt Gain 12dB
1,172在途量
最低: 1
倍数: 1

MACOM 射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
489在途量
最低: 1
倍数: 1

Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.60mm Pwr pHEMT
100预期 2026/7/15
最低: 100
倍数: 100
: 100

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor
500预期 2026/9/11
最低: 1
倍数: 1
: 500

Renesas / Intersil 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
2,076预期 2027/2/5
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

onsemi 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G 5库存量
6,000预期 2026/11/24
最低: 1
倍数: 1
最大: 700
: 3,000

Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.20mm Pwr pHEMT
100预期 2026/7/10
最低: 100
倍数: 100

Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.80mm Pwr pHEMT
100预期 2026/7/20
最低: 100
倍数: 100
: 100

Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.25 mm Pwr pHEMT
200预期 2026/7/20
最低: 100
倍数: 100
: 100

NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
78,000预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
988在途量
最低: 1
倍数: 1
: 500

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL
200在途量
最低: 1
倍数: 1
: 100

Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
18预期 2026/8/27
最低: 1
倍数: 1