|
|
射频开发工具 Sample board, MAPC-A3005-AD000
- MAPC-A3005-ADSB1
- MACOM
-
1:
¥14,093.5295
-
1库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
937-MAPC-A3005-ADSB1
新产品
|
MACOM
|
射频开发工具 Sample board, MAPC-A3005-AD000
|
|
1库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CB4
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,455.4739
-
20库存量
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF2L16180CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
20库存量
|
|
|
¥1,455.4739
|
|
|
¥1,160.3405
|
|
|
¥1,160.3405
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
120
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz
- QPD1035
- Qorvo
-
1:
¥3,044.5929
-
45库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1035
Mouser 的新产品
|
Qorvo
|
GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz
|
|
45库存量
|
|
|
¥3,044.5929
|
|
|
¥2,854.6512
|
|
|
¥2,188.584
|
|
|
¥2,188.584
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
¥46.9063
-
24,223库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-AFT05MS004NT1
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
24,223库存量
|
|
|
¥46.9063
|
|
|
¥30.5778
|
|
|
¥26.8375
|
|
|
¥25.3572
|
|
|
¥18.8484
|
|
|
查看
|
|
|
¥23.9673
|
|
|
¥21.7977
|
|
|
¥20.0688
|
|
|
¥18.4077
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
- SD2933W
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,048.0072
-
260库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2933W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
|
|
260库存量
|
|
|
¥1,048.0072
|
|
|
¥899.0393
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 30W PSAT at 50V or 19W PSAT at 28V
- GRF0020
- Guerrilla RF
-
1:
¥1,133.5369
-
47库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
459-GRF0020
新产品
|
Guerrilla RF
|
GaN 场效应晶体管 Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 30W PSAT at 50V or 19W PSAT at 28V
|
|
47库存量
|
|
|
¥1,133.5369
|
|
|
¥1,076.6301
|
|
|
¥1,076.6301
|
|
|
¥991.8462
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 15W PSAT at 50V or 8W PSAT at 28V
- GRF0010
- Guerrilla RF
-
1:
¥1,023.3619
-
47库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
459-GRF0010
新产品
|
Guerrilla RF
|
GaN 场效应晶体管 Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 15W PSAT at 50V or 8W PSAT at 28V
|
|
47库存量
|
|
|
¥1,023.3619
|
|
|
¥971.9921
|
|
|
¥971.9921
|
|
|
¥895.4798
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
射频开发工具 30W, DC - 6GHz
- QPD1035EVB0-50V
- Qorvo
-
1:
¥7,599.5325
-
4库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1035EVB0-50V
Mouser 的新产品
|
Qorvo
|
射频开发工具 30W, DC - 6GHz
|
|
4库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FHS/SOT1214/TRAY
- ART700FHSU
- Ampleon
-
1:
¥1,713.871
-
58库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-ART700FHSU
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FHS/SOT1214/TRAY
|
|
58库存量
|
|
|
¥1,713.871
|
|
|
¥1,413.6187
|
|
|
¥1,373.3342
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART35FE/SOT467C/TRAY
- ART35FEU
- Ampleon
-
1:
¥766.6937
-
231库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-ART35FEU
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART35FE/SOT467C/TRAY
|
|
231库存量
|
|
|
¥766.6937
|
|
|
¥615.8161
|
|
|
¥595.5552
|
|
|
¥585.6338
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
- B11G2327N71DYZ
- Ampleon
-
1:
¥576.6164
-
313库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-B11G2327N71DYZ
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
|
|
313库存量
|
|
|
¥576.6164
|
|
|
¥477.6849
|
|
|
¥453.6159
|
|
|
¥451.1299
|
|
|
¥429.626
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
300
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
- MRFX1K80NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
¥3,067.0799
-
60库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-MRFX1K80NR5
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
|
|
60库存量
|
|
|
¥3,067.0799
|
|
|
¥2,647.1493
|
|
|
¥2,531.2904
|
|
|
¥2,449.0377
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART800PEG/OMP780/REEL
- ART800PEGY
- Ampleon
-
1:
¥1,227.2591
-
79库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-ART800PEGY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART800PEG/OMP780/REEL
|
|
79库存量
|
|
|
¥1,227.2591
|
|
|
¥1,038.2553
|
|
|
¥1,005.9938
|
|
|
¥961.404
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
- MRFE6VP61K25HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
¥3,782.7428
-
148库存量
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-MRFE6VP61K25HR5
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
|
|
148库存量
|
|
|
¥3,782.7428
|
|
|
¥3,269.9714
|
|
|
¥3,142.1232
|
|
|
¥3,064.7408
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
- BLC2425M10LS500PZ
- Ampleon
-
1:
¥1,874.0146
-
105库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLC2425M10LS500PZ
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
|
|
105库存量
|
|
|
¥1,874.0146
|
|
|
¥1,550.0097
|
|
|
¥1,508.4935
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55SG/TO270/REEL
- BLP5LA55SGXY
- Ampleon
-
1:
¥214.3949
-
153库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP5LA55SGXY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55SG/TO270/REEL
|
|
153库存量
|
|
|
¥214.3949
|
|
|
¥172.4606
|
|
|
¥163.7822
|
|
|
¥146.90
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
射频开发工具 30W, DC - 6GHz, Flanged
- QPD1035LEVB0-50V
- Qorvo
-
1:
¥7,599.5325
-
3库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
772-QPD1035LEVB0-50V
Mouser 的新产品
|
Qorvo
|
射频开发工具 30W, DC - 6GHz, Flanged
|
|
3库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PEG/REEL
- ART150PEGXY
- Ampleon
-
1:
¥537.9817
-
125库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-ART150PEGXY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PEG/REEL
|
|
125库存量
|
|
|
¥537.9817
|
|
|
¥444.8471
|
|
|
¥421.603
|
|
|
¥416.7214
|
|
|
¥396.3701
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PE/REELDP
- ART150PEXY
- Ampleon
-
1:
¥537.9817
-
63库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-ART150PEXY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PE/REELDP
|
|
63库存量
|
|
|
¥537.9817
|
|
|
¥444.8471
|
|
|
¥421.603
|
|
|
¥396.3701
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
- CLF3H0035S-100U
- Ampleon
-
1:
¥2,434.9918
-
60库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-CLF3H0035S-100U
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
|
|
60库存量
|
|
|
¥2,434.9918
|
|
|
¥2,030.2597
|
|
|
¥1,996.0207
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FES/SOT539/TRAY
- ART2K0FESU
- Ampleon
-
1:
¥2,297.7646
-
456库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-ART2K0FESU
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FES/SOT539/TRAY
|
|
456库存量
|
|
|
¥2,297.7646
|
|
|
¥1,912.5589
|
|
|
¥1,876.6588
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF944P/SOT1228/TRAY
- BLF944PU
- Ampleon
-
1:
¥1,572.1012
-
56库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLF944PU
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF944P/SOT1228/TRAY
|
|
56库存量
|
|
|
¥1,572.1012
|
|
|
¥1,338.4285
|
|
|
¥1,252.6502
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY
- BLF974PU
- Ampleon
-
1:
¥1,854.33
-
143库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLF974PU
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY
|
|
143库存量
|
|
|
¥1,854.33
|
|
|
¥1,533.2292
|
|
|
¥1,531.7376
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
- BLA9H0912L-1200PU
- Ampleon
-
1:
¥5,274.5462
-
125库存量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLA9H0912L-1200PU
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
|
|
125库存量
|
|
|
¥5,274.5462
|
|
|
¥5,274.0603
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
- PD57018-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥257.9903
-
687库存量
|
Mouser 零件编号
511-PD57018-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
|
|
687库存量
|
|
|
¥257.9903
|
|
|
¥188.9247
|
|
|
¥177.4213
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
