GAN140-650EBEZ

Name: Nexperia GAN140-650EBEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN140-650EBEZ
Price: 49.41 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-GAN140-650EBEZ

制造商编号：

GAN140-650EBEZ

制造商：

Nexperia

说明：

GaN 场效应晶体管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-

数据表:

GAN140-650EBEZ 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-8080-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	17 A
Rds On-漏源导通电阻:	140 mOhms
Qg-栅极电荷:	1.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	113 W
通道模式:	Enhancement
技术:	GaN
商标:	Nexperia
配置:	Single
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
零件号别名:	934665902332

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

eMode GaN FET

Nexperia eMode GaN FET的电压范围为100V至650V，具有出色的开关性能。这些GaN FET具有较低的Q_C和Q_OSS参数，可实现快速的转换能力，从而获得出色的电源转换效率。

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GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET

常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。

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GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT

40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。

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GANB8R0-040CBA双向GaN FET

40V、8.0mΩ双向GaN HEMT，采用紧凑型1.7mm x 1.7mm WLCSP封装。

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GANB4R8-040CBA双向GaN FET

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一款采用VQFN封装的通用150V、3.9mΩ 氮化镓 (GaN) FET。

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库存量: 1,758

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生产周期：: 4 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥55.8333	¥55.83
	¥36.5555	¥365.56
	¥26.9618	¥2,696.18
	¥23.9899	¥11,994.95
	¥21.1762	¥21,176.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥18.4416	¥46,104.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

GAN140-650EBEZ

制造商： Nexperia

说明： GaN 场效应晶体管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-

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