GANE350-650FBAZ

Name: Nexperia GANE350-650FBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANE350-650FBAZ
Price: 19.03 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-GANE350-650FBAZ

制造商编号：

GANE350-650FBAZ

制造商：

Nexperia

说明：

GaN 场效应晶体管 GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	6 A
Rds On-漏源导通电阻:	350 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	7 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	1.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	65 W
通道模式:	Enhancement
技术:	GaN
商标:	Nexperia
配置:	Single
下降时间:	6.1 ns
最大漏极/栅极电压:	40 V
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	GaN FETs
产品类型:	GaN FETs
上升时间:	3.5 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	1.2 ns
典型接通延迟时间:	0.9 ns
零件号别名:	934667638332

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

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数量	单价	总价
	¥21.5039	¥21.50
	¥10.5881	¥105.88
	¥9.5146	¥951.46
	¥7.5823	¥3,791.15
	¥7.3902	¥7,390.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥6.3167	¥15,791.75
	¥5.6952	¥28,476.00

GANE350-650FBAZ

制造商： Nexperia

说明： GaN 场效应晶体管 GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060

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