GANE350-700BBAZ

Nexperia
771-GANE350-700BBAZ
GANE350-700BBAZ

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 GANE350-700BBA/SOT428/DPAK

寿命周期:
新产品:
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产品属性 属性值 选择属性
Nexperia
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
700 V
6 A
350 mOhms
7 V
2.5 V
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
47 W
Enhancement
GaN
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 6.1 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: GaN FETs
产品类型: GaN FETs
上升时间: 3.5 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 1.2 ns
典型接通延迟时间: 0.9 ns
零件号别名: 934667674332
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

eMode GaN FET

Nexperia eMode GaN FET的电压范围为100V至650V,具有出色的开关性能。这些GaN FET具有较低的QC和QOSS参数,可实现快速的转换能力,从而获得出色的电源转换效率。

库存量: 2,330

库存:
2,330 可立即发货
生产周期:
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.0802 ¥22.08
¥12.656 ¥126.56
¥9.6728 ¥967.28
¥8.1812 ¥4,090.60
¥7.7292 ¥7,729.20
整卷卷轴(请按2500的倍数订购)
¥6.3167 ¥15,791.75
¥5.6952 ¥28,476.00