GP2T040A120H

SemiQ
148-GP2T040A120H
GP2T040A120H

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 13

库存：
13 可立即发货
生产周期：
2 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥96.1178 ¥96.12
¥79.4051 ¥794.05
¥48.6352 ¥5,836.22
¥46.3187 ¥23,622.54

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
63 A
37 mOhms
- 10 V, + 25 V
4 V
118 nC
- 55 C
+ 175 C
322 W
Enhancement
商标: SemiQ
配置: Single
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 5 ns
系列: GP2T040A120
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.

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