GP2T040A120J

SemiQ
148-GP2T040A120J
GP2T040A120J

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET

ECAD模型:
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数量 单价
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¥97.6094 ¥97.61
¥76.3428 ¥763.43
¥63.5286 ¥6,352.86
¥56.6582 ¥28,329.10
¥48.0589 ¥48,058.90

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
66 A
38 mOhms
- 10 V, + 25 V
4 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
Enhancement
商标: SemiQ
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 5 ns
系列: GP2T020A120
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
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已选择的属性: 0

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.