NTB011N15MC

onsemi
863-NTB011N15MC
NTB011N15MC

制造商:

说明:
MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 75.4 A

ECAD模型:
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库存量: 428

库存:
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最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥34.578 ¥34.58
¥24.1481 ¥241.48
¥20.679 ¥2,067.90
¥20.2609 ¥10,130.45
整卷卷轴(请按800的倍数订购)
¥19.8541 ¥15,883.28

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
75.4 A
10.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
37 nC
+ 175 C
3.75 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTB011N15MC
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET,可最大限度地降低导通电阻,并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比,这些MOSFET的Qrr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低RDS(on),可最大限度地降低导通损耗,还具有低QG 和电容值,可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装,尺寸为5mm x 6mm,设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流-直流和直流-直流电源、交流-直流适配器(USB供电)同步整流器和负载开关。