NTMFS008N12MCT1G

onsemi
863-NTMFS008N12MCT1G
NTMFS008N12MCT1G

制造商:

说明:
MOSFET PTNG 120V SG

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 1,194

库存:
1,194 可立即发货
生产周期:
21 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于1194的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥20.9276 ¥20.93
¥13.899 ¥138.99
¥11.0062 ¥1,100.62
¥10.0118 ¥5,005.90
¥8.5202 ¥8,520.20
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)
¥8.4411 ¥12,661.65
¥8.1134 ¥24,340.20

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
120 V
79 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
102 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS008N12MC
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET,具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗,低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅,符合RoHS指令,工作温度范围为- 55°C至175°。