NTMFS008N12MCT1G

onsemi
863-NTMFS008N12MCT1G
NTMFS008N12MCT1G

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 120V SG

数据表:
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库存量: 1,194

库存：
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数量大于1194的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥20.9276 ¥20.93
¥13.899 ¥138.99
¥11.0062 ¥1,100.62
¥10.0118 ¥5,005.90
¥8.5202 ¥8,520.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥8.4411 ¥12,661.65
¥8.1134 ¥24,340.20

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
120 V
79 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
102 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS008N12MC
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

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