NTMFS1D1N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS1D1N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS1D1N04XMT1G
Price: 18.67 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFS1D1N04XMT1G

制造商编号：

NTMFS1D1N04XMT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

数据表:

NTMFS1D1N04XMT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	233 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.05 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	49.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	104 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	6.07 ns
正向跨导 - 最小值:	152 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7.09 ns
系列:	NTMFS1D1N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	32.8 ns
典型接通延迟时间:	22.2 ns

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数据表

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PCN

Product Change Notification 2024-02-06 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

40V功率MOSFET

安森美（onsemi）40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术，具有同类最佳的导通电阻。安森美（onsemi）MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷，可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外，这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制，有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。