NTMFS4D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS4D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D2N10MDT1G
Price: 28.04 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-NTMFS4D2N10MDT1G

制造商编号：

NTMFS4D2N10MDT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

数据表:

NTMFS4D2N10MDT1G 数据表

ECAD模型:

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥31.6852	¥31.69
	¥20.5999	¥206.00
	¥14.4753	¥1,447.53
	¥12.0797	¥6,039.85
	¥11.2548	¥11,254.80
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥10.5881	¥15,882.15

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	113 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	25 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	132 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTMFS4D2N10MD
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors

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已选择的属性: 0

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数据表

NTMFS4D2N10MDT1G 数据表

Material Composition Disclosure

合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET，可最大限度地降低导通电阻，并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比，这些MOSFET的Q_rr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低R_DS(on)，可最大限度地降低导通损耗，还具有低Q_G 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装，尺寸为5mm x 6mm，设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流－直流和直流－直流电源、交流－直流适配器（USB供电）同步整流器和负载开关。